1. 氮化鋁陶瓷是製造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要材料。
2. 氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹係數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規模積體電路散 
        熱基板和封裝材料。
3. 氮化鋁硬度高，超過傳統氧化鋁，是新型的耐磨陶瓷材料，但由於造價高，只能用於磨損嚴重的部位.
4. 利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可製作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性
        能可作紅外線視窗。氮化鋁薄膜可製成高頻壓電元件、超大規模積體電路基片等。
5. 氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在鹼性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。
      利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在
      電子工業中廣泛套用。