對於高功率的半導體產業，目前已有許多特殊陶瓷基板材料的需求，如陶瓷基板材料有AlN氮化鋁及Si₃N₄氮化矽材料。α-Al₂O₃氧化鋁為相當常見的結構陶瓷材料，但熱傳導率僅 20~30 W/m·K，且熱膨脹係數較高並不適用於發熱量極高的高功率元件環境；取而代之的就有AlN氮化鋁及Si₃N₄氮化矽材料：AlN氮化鋁的熱傳導係數可以高達150~230 W/m·K，並且熱膨脹係數為 4.6×10^-6/K，有接近第三代半導體材料SiC與GaN的熱膨脹係數的優點，然而其抗折強度 350 MPa及破斷韌性 2.7 MPa·m^1/2，導致可靠度的表現較低，故AlN氮化鋁機械強度是需要改善及發展的方向；Si₃N₄氮化矽材料具有優異的抗折強度 600~800 MPa及破斷韌性 6.0~8.0 MPa·m^1/2，故在冷熱衝擊循環測試條件下，具有5,000次以上的優異可靠度表現。

   氮化矽陶瓷材料具有熱穩定性高、抗氧化能力強以及產品尺寸精確度高等優良性能。由於氮化矽是鍵強高的共價化合物，並在空氣中能形成氧化物保護膜，所以還具有良好的化學穩定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保護膜可防止進一步氧化，並且不被鋁、鉛、錫、銀、黃銅、鎳等很多種熔融金屬或合金所浸潤或腐蝕，但能被鎂、鎳鉻合金、不鏽鋼等熔液所腐蝕。
               氮化矽陶瓷材料可用於高温工程的部件，冶金工業等方面的高級耐火材料，化工工業中抗腐蝕部件和密封部件，機械加工工業的刀具和刃具等。由於氮化矽與碳化矽、氧化鋁、二氧化釷、氮化硼等能形成很強的結合，所以可用作結合材料，以不同配比進行改性。
                 此外，氮化矽還能應用到太陽能電池中。用PECVD法鍍氮化矽膜後，不但能作為減反射膜可減少入射光的反射，而且，在氮化矽薄膜的沉積過程中，反應產物氫原子進入氮化矽薄膜以及矽片內，起到了鈍化缺陷的作用。這裡的氮化矽氮矽原子數目比並不是嚴格的4:3，而是根據工藝條件的不同而在一定範圍內波動，不同的原子比例對應的薄膜的物理性質有所不同。